Desde a invenção do transistor, toda a eletrônica baseada em dispositivos semicondutores repousa na utilizaçãoo das propriedades da carga do elétron. Atualmente, um grande esforço tem sido feito com o intuito de desenvolver novos dispositivos que explorem não só a carga, mas também as propriedades do spin do elétron (spintrônica). Espera-se que dispositivos baseados na spintrônica proporcionem um grande avanço no desenvolvimento de interruptores eletro-ópticos, sensores de campo magnético ultra-sensíveis, e particularmente, dispositivos lógicos e memória para computação quântica de alta velocidade [1-6]. Estes avanços significam processamentos mais velozes, com menor consumo de energia, não-volatilidade, aumento da densidade de integração, se comparamos com os dispositivos semicondutores convencionais, e possivelmente o desenvolvimento de computadores quânticos [7,8]. O maior desafio para a produção de dispositivos baseados na spintrônica está na dificuldade de se integrar materiais semicondutores com materiais magnéticos (essencialmente metais ferromagnéticos). Normalmente, a interface entre esses materiais apresenta problemas devido à diferença de estrutura cristalina dos componentes, ligações químicas, e propriedades físicas e químicas dos materiais [9]. Assim, o desenvolvimento da spintrônica de semicondutores passa pelo desenvolvimento de materiais ferromagnéticos onde o grau de liberdade de spin possa ser usado.
Além do desenvolvimento de novos materiais, a implantação desta tecnologia ainda necessita que muitos problemas técnicos, relacionados com a utilização de portadores com spin bem definido sejam resolvidos. Para que um dispositivo funcione é preciso eficiência na injeção, no transporte, no controle, na manipulação, e na detecção de correntes polarizadas [7], ou seja, correntes em que os portadores estejam em um mesmo estado quântico de spin. Estas técnicas encontram-se ainda em processo de pesquisa. A injeção de correntes polarizadas para o controle do estado de spin dos portadores nos semicondutores mais usuais (Si, GaAs, CdTe, GaN, PbTe) é possível, mas de difícil utilização em dispositivos, já; que para se obter uma diferença de energia útil entre os dois estados de spin nesses semicondutores, é necessário a utilização de campos magnéticos muito intensos (≥ 10 T). Como em um dispositivo comercial a utilização de um campo magnético externo é indesejável, recorre-se então à utilização de um campo magnético "efetivo" interno ao semicondutor. Esse campo efetivo pode ser obtido nos semicondutores magnéticos diluídos (SMD) através da interação entre o spin dos elétrons de condução e os momentos magnéticos dos íons localizados (por exemplo os íons magnéticos Mn2+ nos compostos II-VI CdMnTe) ou, nos semicondutores de gap estreito, através do forte acoplamento spin-órbita que quebra a degenerescência dos estados de spin mesmo a campo magnético nulo. A construção de dispositivos baseados nesses semicondutores torna indispensável a compreensão das interações fundamentais entre o spin eletrônico e sua vizinhança.